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　　在半导体工艺领域，创新和技术进步一直是推动行业发展的重要动力。近日，泛林集团（Lam Research）在美国加州发布了全球首款钼（Mo）原子层沉积（ALD）设备ALTUS Halo。这款设备的推出不仅标志着钼在半导体制造中的应用开辟了新的可能性，更有望在未来改变逻辑半导体和3D NAND技术的格局。在过去的二十年里，钨（W）因为优异的沟槽填充能力广泛应用于金属布线元器件，但随着半导体工艺要求的不断提升，钨的高电阻问题逐渐显露出来，催生了对替代材料的迫切需求。

　　ALTUS Halo凭借其独特的设计和卓越的性能，为这一需求提供了完美解决方案。设备采用了泛林集团独有的四站模块架构，结合了最新的ALD技术进展，能够高效地实现低电阻率钼的沉积。这一创新不仅提升了沟槽的填充效果，还大幅改善了电气性能，使其特别适用于千层3D NAND、4F2 DRAM和先进的GAA逻辑电路。这些应用的不断扩展，意味着ALTUS Halo将有助于推动半导体技术的持续演进，满足未来更复杂和高性能设计的需求。